根據結構，二極管可以分為PN結二極管和金屬半導體結二極管，它們被稱為肖特基二極管（SBD）。此外，根據用途可分為三種：通用（整流二極管、開關二極管）、高速使用（SBD、FRD和HED）和指定用途（齊納二極管、變容二極管和PIN二極管）。

　　二極管電氣特性表中術語的定義

　　正向電流(IF)計算如下：

　　IF=IS(exp(qVF/KT)?1)

　　IS：反向飽和電流

　　T： 絕對溫度

　　VF：正向電壓

　　K： 玻爾茲曼常數

　　q： 電荷

　　上述方程僅適用于小電流區(qū)域。

　　流過二極管的反向偏置電流稱為反向電流(IR)或飽和電流(is)。

　　通常，飽和區(qū)硅二極管的反向電流(IR)為幾毫安(10?9A)。當溫度從8°C變化到10°C時，IR幾乎增加了一倍。

　　總電容表示為CT。CT主要歸因于p-n二極管的反向偏置形成的耗盡層。耗盡層的寬度隨著反向電壓(VR)的增加而增加。下圖顯示了CT?vs?VR曲線?？傠娙蓦S反向電壓的增加而減小。通常，總電容和CT?VR斜率在很大程度上取決于結面積和摻雜濃度。

　　在正向導通之后，即使施加反向偏置，二極管也無法實現其阻斷能力。大的反向電流(IR)流動，直到p-n結中的所有少數載流子耗盡，這些載流子在反向方向上形成低阻抗路徑。當偏置電壓突然從正向變?yōu)榉聪驎r，p-n結恢復到最大10%IR所需的時間稱為反向恢復時間(trr)。它表示二極管的開關速度。